DDR2 और DDR के बीच का अंतर

एक ही कोर फ़्रीक्वेंसी के तहत, DDR2 की वास्तविक ऑपरेटिंग फ़्रीक्वेंसी DDR से दोगुनी है। यह इस तथ्य के कारण है कि DDR2 मेमोरी में मानक DDR मेमोरी की 4BIT पूर्व-पढ़ने की क्षमता का दोगुना है। दूसरे शब्दों में, हालांकि DDR2, DDR की तरह, डेटा ट्रांसमिशन की मूल विधि का उपयोग उसी समय करता है, जब घड़ी में देरी और गिरावट में देरी होती है, DDR2 में सिस्टम कमांड डेटा को प्री-रीड करने के लिए DDR की क्षमता से दोगुना है। दूसरे शब्दों में, 100 मेगाहर्ट्ज की समान ऑपरेटिंग आवृत्ति के तहत, डीडीआर की वास्तविक आवृत्ति 200 मेगाहर्ट्ज है, जबकि डीडीआर 2 400 मेगाहर्ट्ज तक पहुंच सकता है।

इस तरह, एक और समस्या उत्पन्न होती है: DDR और DDR2 मेमोरी में समान ऑपरेटिंग आवृत्ति के साथ, बाद की मेमोरी विलंबता पूर्व की तुलना में धीमी होती है। उदाहरण के लिए, DDR 200 और DDR2-400 में समान विलंब है, जबकि बाद वाले में दो बार बैंडविड्थ है। वास्तव में, DDR2-400 और DDR 400 में समान बैंडविड्थ है, वे दोनों 3.2GB/s हैं, लेकिन DDR400 की कोर ऑपरेटिंग आवृत्ति 200MHz है, और DDR2-400 की कोर ऑपरेटिंग आवृत्ति 100MHz है, जिसका अर्थ है DDR2 की देरी -400 यह DDR400 से अधिक है।

DDR2 मेमोरी तकनीक की सबसे बड़ी सफलता वास्तव में यह नहीं है कि उपयोगकर्ता DDR की संचरण क्षमता से दोगुना सोचते हैं, लेकिन कम गर्मी उत्पादन और कम बिजली की खपत के साथ, DDR2 तेजी से आवृत्ति वृद्धि और सफलता प्राप्त कर सकता है। मानक DDR की 400MHZ सीमा।

DDR मेमोरी को आमतौर पर TSOP चिप में पैक किया जाता है। यह पैकेज 200MHz पर अच्छा काम कर सकता है। जब आवृत्ति अधिक होती है, तो इसके लंबे पिन उच्च प्रतिबाधा और परजीवी समाई उत्पन्न करेंगे, जो इसके प्रदर्शन को प्रभावित करेगा। स्थिरता और आवृत्ति सुधार की कठिनाई। यही कारण है कि डीडीआर की कोर फ्रीक्वेंसी के लिए 275 मेगाहर्ट्ज से टूटना मुश्किल है। और DDR2 मेमोरी FBGA पैकेज फॉर्म को अपनाती है। वर्तमान में व्यापक रूप से उपयोग किए जाने वाले TSOP पैकेज से अलग, FBGA पैकेज बेहतर विद्युत प्रदर्शन और गर्मी अपव्यय प्रदान करता है, जो DDR2 मेमोरी के स्थिर संचालन और भविष्य की आवृत्तियों के विकास के लिए एक अच्छी गारंटी प्रदान करता है।

DDR2 मेमोरी 1.8V वोल्टेज का उपयोग करती है, जो DDR मानक 2.5V से बहुत कम है, इस प्रकार बिजली की कम खपत और कम गर्मी प्रदान करती है। यह परिवर्तन महत्वपूर्ण है।

ऊपर बताए गए अंतरों के अलावा, DDR2 तीन नई तकनीकों को भी पेश करता है, वे हैं OCD, ODT और Post CAS।

① ओसीडी (ऑफ-चिप ड्राइवर): यह तथाकथित ऑफ़लाइन ड्राइवर समायोजन है। DDR II OCD के माध्यम से सिग्नल अखंडता में सुधार कर सकता है। DDR II दो वोल्टेज को समान बनाने के लिए पुल-अप/पुल-डाउन प्रतिरोध मान को समायोजित करता है। डीक्यू-डीक्यूएस के झुकाव को कम करके सिग्नल अखंडता में सुधार के लिए ओसीडी का प्रयोग करें; वोल्टेज को नियंत्रित करके सिग्नल की गुणवत्ता में सुधार।

ODT: ODT बिल्ट-इन कोर का टर्मिनेशन रेसिस्टर है। हम जानते हैं कि डेटा लाइन टर्मिनल को संकेतों को प्रतिबिंबित करने से रोकने के लिए डीडीआर एसडीआरएएम का उपयोग करके मदरबोर्ड पर बड़ी संख्या में समाप्ति प्रतिरोधों की आवश्यकता होती है। यह मदरबोर्ड की निर्माण लागत को बहुत बढ़ा देता है। वास्तव में, विभिन्न मेमोरी मॉड्यूल की टर्मिनेशन सर्किट के लिए अलग-अलग आवश्यकताएं होती हैं। टर्मिनेशन रेसिस्टर का आकार डेटा लाइन के सिग्नल अनुपात और परावर्तन को निर्धारित करता है। यदि समाप्ति प्रतिरोध छोटा है, तो डेटा लाइन सिग्नल प्रतिबिंब कम है लेकिन सिग्नल-टू-शोर अनुपात भी कम है; यदि समाप्ति प्रतिरोध अधिक है, तो डेटा लाइन का सिग्नल-टू-शोर अनुपात अधिक होगा, लेकिन सिग्नल परावर्तन भी बढ़ेगा। इसलिए, मदरबोर्ड पर समाप्ति प्रतिरोध मेमोरी मॉड्यूल से बहुत अच्छी तरह मेल नहीं खा सकता है, और यह कुछ हद तक सिग्नल की गुणवत्ता को प्रभावित करेगा। DDR2 अपनी विशेषताओं के अनुसार उपयुक्त समाप्ति प्रतिरोधों का निर्माण कर सकता है, ताकि सर्वोत्तम सिग्नल तरंग सुनिश्चित हो सके। DDR2 का उपयोग न केवल मदरबोर्ड की लागत को कम कर सकता है, बल्कि सर्वोत्तम सिग्नल गुणवत्ता भी प्राप्त कर सकता है, जो DDR द्वारा बेजोड़ है।

पोस्ट सीएएस: यह डीडीआर II मेमोरी की उपयोगिता दक्षता में सुधार करने के लिए तैयार है। पोस्ट सीएएस ऑपरेशन में, सीएएस सिग्नल (रीड/राइट/कमांड) को आरएएस सिग्नल के बाद एक घड़ी चक्र डाला जा सकता है, और सीएएस कमांड अतिरिक्त देरी (एडिटिव लेटेंसी) के बाद वैध रह सकता है। मूल tRCD (RAS से CAS और देरी) को AL (एडिटिव लेटेंसी) से बदल दिया जाता है, जिसे 0, 1, 2, 3, 4 में सेट किया जा सकता है। चूंकि CAS सिग्नल को RAS सिग्नल के बाद एक घड़ी चक्र रखा जाता है, इसलिए ACT और सीएएस सिग्नल कभी नहीं टकराएंगे।

सामान्य तौर पर, DDR2 DDR की कई कमियों को सुधारने के लिए कई नई तकनीकों का उपयोग करता है। यद्यपि वर्तमान में उच्च लागत और धीमी विलंबता के मामले में इसमें कई कमियां हैं, लेकिन यह माना जाता है कि प्रौद्योगिकी के निरंतर सुधार और सुधार के साथ, इन समस्याओं का समाधान अंततः हो जाएगा।

DDR2 मेमोरी की शुरुआती आवृत्ति 400Mhz से शुरू होगी, DDR मेमोरी की उच्चतम मानक आवृत्ति। उत्पादित की जा सकने वाली आवृत्तियों को अब 533 मेगाहर्ट्ज से 667 मेगाहर्ट्ज का समर्थन करने के लिए परिभाषित किया गया है। मानक ऑपरेटिंग आवृत्ति 200/266/333 मेगाहर्ट्ज है, और ऑपरेटिंग वोल्टेज 1.8V है। DDR2 नए परिभाषित 240 पिन DIMM इंटरफ़ेस मानक का उपयोग करता है, जो मौजूदा DDR 184PIN DIMM इंटरफ़ेस मानक के साथ पूरी तरह से असंगत है। इसका मतलब है कि DDR मानक इंटरफेस वाले सभी मौजूदा मदरबोर्ड DDR2 मेमोरी का उपयोग नहीं कर सकते हैं। यह DDR2 मेमोरी मानकों को लोकप्रिय बनाने में एक बड़ी बाधा बन जाएगा। सौभाग्य से, INTEL का अगली पीढ़ी का प्लेटफ़ॉर्म 240PIN DDR2 इंटरफ़ेस का पूरी तरह से समर्थन करेगा, जो 2 में DDR2005 को लोकप्रिय बनाने की नींव रखेगा।

मेरा मानना है कि सभी ने पहले ही देखा है कि DDR2 मेमोरी का उपयोग करने वाले विभिन्न प्रकार के ग्राफिक्स कार्ड उत्पाद बाजार में लॉन्च किए गए हैं। हालांकि, ग्राफिक्स कार्ड पर उपयोग किए जाने वाले DDR2 मेमोरी के उत्पादन मानक और तरीके डेस्कटॉप सिस्टम एप्लिकेशन पर उपयोग की जाने वाली DDR2 तकनीक से पूरी तरह से अलग हैं। यह लेख फिलहाल के लिए एक विस्तृत अंतर नहीं बनाएगा, लेकिन सभी को यह स्पष्ट होना चाहिए कि ग्राफिक्स कार्ड पर बड़ी संख्या में एप्लिकेशन पहले से ही क्यों उपलब्ध हैं लेकिन डेस्कटॉप सिस्टम नहीं हैं।

पिछली पीढ़ी की मानक DDR तकनीक की तुलना में, DDR2 मेमोरी तकनीक एक सरल और स्पष्ट तरीके का उपयोग करती है। हालाँकि DDR2, DDR की तरह, डेटा ट्रांसमिशन की मूल विधि का उपयोग उसी समय करता है जब घड़ी में देरी और गिरावट में देरी होती है, सबसे बड़ा अंतर यह है कि DDR2 मेमोरी 4 बिट प्री-रीडिंग कर सकती है। मानक DDR मेमोरी के 2BIT प्री-रीडिंग का दोगुना, जिसका अर्थ है कि DDR2 में प्री-रीडिंग सिस्टम कमांड डेटा की क्षमता से दोगुना है। मैं समझ गया हूं कि मुझे क्या लगता है, इस कारण से, DDR2 केवल DDR की तुलना में पूरी डेटा ट्रांसमिशन क्षमता को दोगुना प्राप्त करता है। तो लेखक आपको बताता है कि DDR2 400Mhz का नाम PC3200 भी है, कृपया पढ़ते रहें, क्यों?

DDR2 मेमोरी तकनीक का सबसे बड़ा सफलता बिंदु वास्तव में ट्रांसमिशन क्षमता नहीं है जो न्यायाधीशों को लगता है कि DDR से दोगुना है, बल्कि, यह कम गर्मी उत्पादन और कम बिजली की खपत के साथ तेज आवृत्ति वृद्धि प्राप्त करता है। मानक DDR की 400MHZ सीमा को तोड़ें। ऐसा लगता है कि यह अधिक जादुई लगता है, अधिकतम आवृत्ति सीमा को तोड़ता है, और यहां तक कि गर्मी उत्पादन और बिजली की खपत को भी कम करता है? हालाँकि DDR2 तकनीक भी उपरोक्त क्षमताओं को पूरा करने के लिए कई नई तकनीकों का उपयोग करती है, लेकिन कुंजी 4BIT की पूर्व-पढ़ने की क्षमता में निहित है। लेखक आपको कदम दर कदम आगे बढ़ाएगा।

जारी किए गए तीन DDR2 मेमोरी मानकों की आवृत्ति और बैंडविड्थ के अलावा, यह ध्यान देने योग्य है कि DDR2 400Mhz और DDR400Mhz में 3.2GB की समान बैंडविड्थ है। साथ ही, ड्यूल-चैनल मेमोरी तकनीक की सहायता से, 667MHZ DDR2 10.6GB/S तक की अद्भुत बैंडविड्थ प्रदान करेगा!

DDR2 मेमोरी की प्रारंभिक क्षमता 256MB, 512MB, 1G तक है। डेस्कटॉप सिस्टम पर पर्याप्त क्षमता की गारंटी प्रदान करता है। सैद्धांतिक रूप से, DDR2 मेमोरी कणों की उच्च-घनत्व विशेषताएं 4G और उससे अधिक की अधिकतम क्षमता का समर्थन कर सकती हैं, जिसका व्यापक रूप से व्यावसायिक क्षेत्रों में उपयोग किया जाता है। यह अगले कुछ वर्षों में पीसी सिस्टम में एनजीबी-स्तरीय सुपर क्षमता भी ला सकता है।

DDR2 मानक निर्धारित करता है कि सभी DDR2 यादें FBGA में पैक की जाती हैं। व्यापक रूप से उपयोग किए जाने वाले TSOP a से भिन्नd TSOP-II पैकेज, FBGA पैकेज बेहतर विद्युत प्रदर्शन और गर्मी अपव्यय प्रदान करता है, जो DDR2 मेमोरी के स्थिर संचालन और भविष्य की आवृत्तियों के विकास के लिए एक अच्छी गारंटी प्रदान करता है। वर्तमान में, ग्राफिक्स कार्ड के सभी DDR2 मेमोरी कण FBGA पैकेज मोड में उपयोग किए जाते हैं। DDR2 मेमोरी 1.8V वोल्टेज का उपयोग करती है, जो कि DDR मानक 2.5V से बहुत कम है, इस प्रकार बिजली की कम खपत और कम गर्मी प्रदान करती है। यह परिवर्तन महत्वपूर्ण है, और यह DDR2 को भी अनुमति देता है। मेमोरी नोटबुक और लैपटॉप के लिए अधिक उपयुक्त है। चूंकि यह इतने कम वोल्टेज पर काम कर सकता है, आवृत्ति वृद्धि कैसे प्राप्त की जा सकती है?

जैसा कि सभी जानते हैं, मेमोरी के बुनियादी काम करने वाले चरणों में विभाजित हैं: सिस्टम से प्री-रीडिंग डेटा → मेमोरी यूनिट क्यू में सेविंग → मेमोरी I / O बफर में ट्रांसफर करना → प्रोसेसिंग के लिए सीपीयू सिस्टम में ट्रांसफर करना।

DDR मेमोरी 200MHZ की कोर फ़्रीक्वेंसी का उपयोग करती है, जिसे दो मार्गों के माध्यम से I/O कैश में सिंक्रोनाइज़ किया जाता है, और यह 400MHZ प्राप्त करने के लिए वास्तविक आवृत्ति है।

DDR2 100MHZ की कोर फ़्रीक्वेंसी का उपयोग करता है, जो चार ट्रांसमिशन मार्गों के माध्यम से I / O बफर को सिंक्रोनाइज़ करता है, और 400MHZ की वास्तविक आवृत्ति भी प्राप्त करता है।

चतुर मजिस्ट्रेट ने पहले ही रहस्य को देख लिया है। यह ठीक है क्योंकि DDR2 4BIT डेटा को प्री-रीड कर सकता है, यह फोर-वे ट्रांसमिशन का उपयोग कर सकता है, और क्योंकि DDR केवल 2BIT डेटा को प्री-रीड कर सकता है, यह 200MHZ प्राप्त करने के लिए केवल दो 400MHZ ट्रांसमिशन लाइनों का उपयोग कर सकता है। इस तरह, DDR2 कुल आवृत्ति को कम किए बिना कोर आवृत्ति को पूरी तरह से 100MHZ तक कम कर सकता है, ताकि यह आसानी से छोटी गर्मी लंपटता और कम वोल्टेज आवश्यकताओं को प्राप्त कर सके। इसके अलावा, 133*4, 166*4, और अधिकतम 200*4 प्राप्त करने के लिए 800MHZ तक पहुंचने के लिए कोर आवृत्ति को और बढ़ाया जा सकता है। हालांकि, हर कोई जानता है कि कम मेमोरी लेटेंसी उच्च प्रदर्शन ला सकती है। फिर, DDR2 में, 4-चैनल ट्रांसमिशन की स्थिरता और चिकनाई सुनिश्चित करने और विद्युत हस्तक्षेप और डेटा संघर्ष से बचने के लिए, DDR की तुलना में थोड़ी बड़ी मेमोरी का उपयोग किया जाता है। विलंब सेटिंग। मेरा मानना है कि स्मार्ट जज भी देख सकते हैं कि यह वास्तव में एक दूरदर्शी डिजाइन है।

DDR II के तकनीकी सिद्धांतों को समझने के बाद, आइए DDR II की तीन मुख्य नई विशेषताओं पर एक नज़र डालें: वे OCD, ODT और Post CAS हैं।

ओसीडी (ऑफ-चिप ड्राइवर), एlsओ ऑफ़लाइन ड्राइव समायोजन के रूप में जाना जाता है, डीडीआर II ओसीडी के माध्यम से सिग्नल अखंडता में सुधार कर सकता है। DDR II दो वोल्टेज को समान बनाने के लिए पुल-अप/पुल-डाउन प्रतिरोध मान को समायोजित करता है। यानी पुल-अप = पुल-डाउन। डीक्यू-डीक्यूएस के झुकाव को कम करके सिग्नल अखंडता में सुधार के लिए ओसीडी का प्रयोग करें; वोल्टेज को नियंत्रित करके सिग्नल की गुणवत्ता में सुधार।

ODT बिल्ट-इन कोर के लिए एक टर्मिनेशन रेसिस्टर है। हम जानते हैं कि DDR I SDRAM का उपयोग करने वाले मदरबोर्ड पर बड़ी संख्या में टर्मिनेशन रेसिस्टर्स की आवश्यकता होती है, प्रत्येक डेटा लाइन के लिए कम से कम एक टर्मिनेशन रेसिस्टर की आवश्यकता होती है, जो कि मदरबोर्ड के लिए एक छोटी सी लागत नहीं है। सिग्नल लाइन पर टर्मिनेशन रेसिस्टर्स का उपयोग डेटा लाइन टर्मिनल को सिग्नल को रिफ्लेक्ट करने से रोकने के लिए होता है, इसलिए एक निश्चित रेजिस्टेंस के साथ टर्मिनेशन रेसिस्टर की आवश्यकता होती है। यह प्रतिरोध बहुत बड़ा या बहुत छोटा है। बड़े प्रतिरोध वाले सर्किट का सिग्नल-टू-शोर अनुपात अधिक होता है लेकिन सिग्नल प्रतिबिंब अधिक गंभीर होता है। एक छोटा प्रतिरोध सिग्नल परावर्तन को कम कर सकता है लेकिन सिग्नल-टू-शोर अनुपात को गिरा देगा। इसके अलावा, चूंकि विभिन्न मेमोरी मॉड्यूल में बिल्कुल समान समाप्ति प्रतिरोध आवश्यकताएं नहीं हो सकती हैं, इसलिए मदरबोर्ड मेमोरी मॉड्यूल के बारे में भी अधिक उपयुक्त है।

DDR II में एक बिल्ट-इन टर्मिनेशन रेसिस्टर है, जो DRAM पार्टिकल्स के काम करने पर टर्मिनेशन रेसिस्टर को बंद कर देता है, और सिग्नल रिफ्लेक्शन को कम करने के लिए नॉन-वर्किंग DRAM पार्टिकल्स के लिए टर्मिनेशन रेसिस्टर को चालू कर देता है। ODT DDR II में कम से कम दो लाभ लाता है। एक यह है कि मदरबोर्ड पर टर्मिनेशन रेसिस्टर को हटाने से मदरबोर्ड की लागत कम हो जाती है और पीसीबी बोर्ड का डिज़ाइन आसान हो जाता है। दूसरा लाभ यह है कि समाप्ति रोकनेवाला स्मृति कणों की "विशेषताओं" से मेल खा सकता है, ताकि DRAM सबसे अच्छी स्थिति में हो।

CAS के बाद, यह DDR II मेमोरी की उपयोगिता दक्षता में सुधार करने के लिए तैयार है। पोस्ट सीएएस ऑपरेशन में, सीएएस सिग्नल (रीड/राइट/कमांड) को आरएएस सिग्नल के बाद एक घड़ी चक्र डाला जा सकता है, और सीएएस कमांड अतिरिक्त देरी (एडिटिव लेटेंसी) के बाद वैध रह सकता है। मूल tRCD (RAS से CAS और देरी) को AL (एडिटिव लेटेंसी) से बदल दिया जाता है, जिसे 0, 1, 2, 3, 4 में सेट किया जा सकता है। चूंकि CAS सिग्नल को RAS सिग्नल के बाद एक घड़ी चक्र रखा जाता है, इसलिए ACT और सीएएस सिग्नल कभी नहीं टकराएंगे।

सामान्य ऑपरेशन में, इस समय विभिन्न मेमोरी पैरामीटर हैं: टीआरआरडी = 2, टीआरसीडी = 4, सीएल = 4, एएल = 0, बीएल = 4 (बीएल बर्स्ट डेटा लंबाई है, बर्स्ट लेंथ)। हम देखते हैं कि tRRD (RAS से RAS तक की देरी) दो घड़ी चक्र हैं, और tRCD (RAS से CAS तक की देरी) चार घड़ी चक्र हैं, इसलिए ACT (खंड सक्रियण) और CAS सिग्नल चौथे घड़ी चक्र पर टकराते हैं। , ACT एक घड़ी चक्र से पीछे की ओर बढ़ता है, इसलिए आप देख सकते हैं कि बाद के डेटा ट्रांसमिशन के बीच में BUBBLE का एक घड़ी चक्र है।

आइए पोस्ट सीएएस के संचालन पर एक नजर डालते हैं। इस समय मेमोरी पैरामीटर हैं: टीआरआरडी = 2, टीआरसीडी = 4, सीएल = 4, एएल = 3, बीएल = 4। आरएएस को एसीटी सिग्नल के बाद एक घड़ी चक्र में सेट किया गया है, इसलिए सीएएस और एक्ट संघर्ष नहीं करेंगे, टीआरसीडी को एएल द्वारा बदल दिया गया है (वास्तव में, आप कल्पना कर सकते हैं कि टीआरसीडी कम नहीं हुआ है, लेकिन एक वैचारिक परिवर्तन है, सीएएस पीछे की ओर जाता है एक घड़ी चक्र, लेकिन AL tRCD से छोटा है, सिग्नल कमांड की टक्कर को समायोजित करके रद्द किया जा सकता है), और DRAM अतिरिक्त देरी के दौरान रीड कमांड को रखता है। इस डिज़ाइन के कारण, ACT और CAS अब नहीं टकराएंगे, और मेमोरी रीड टाइमिंग में कोई BUBBLE नहीं होगा।

पोस्ट सीएएस प्लस एडिटिव लेटेंसी का उपयोग करने से तीन लाभ होंगे:

1. कमांड बस पर टकराव की घटना को आसानी से रद्द किया जा सकता है
2. कमांड और डेटा बस की दक्षता में सुधार
3. बबल के बिना, वास्तविक मेमोरी बैंडविड्थ में सुधार किया जा सकता है

एक अन्य सामान्य DOTHAN FSB 533 है, जिसका अर्थ है कि DDR533 के साथ मेमोरी केवल मेमोरी बैंडविड्थ को पूरा कर सकती है, लेकिन वर्तमान नोटबुक DDR1 में अधिकतम DDR400 ही है, और आमतौर पर 333 DOTHAN के FSB को पूरा नहीं कर सकता है। इस समय, मेमोरी सिस्टम की अड़चन बन जाती है। 915 प्लेटफॉर्म के आने के बाद यह 2 से शुरू होकर 2 तक DDR400 डुअल-चैनल DDR533 को सपोर्ट कर सकता है।

इस समय, आपने पाया होगा कि वास्तव में, सिंगल-चैनल DDR2 533 पूरी तरह से DOTHAN के FSB से मिल सकता है, यानी DDR2 533 में डुअल-चैनल है, केवल FSB = 1066 CPU ही इसका मिलान कर सकता है। INTEL1066FSB U के बाहर आने से पहले, DDR2 533 डुअल-चैनल मूल रूप से बेकार है, इसलिए DDR2 डुअल-चैनल सोनमा प्लेटफॉर्म पर जो प्रदर्शन सुधार लाता है वह बहुत छोटा है। दोथान सोनामा प्रणाली की अड़चन बन गया है। जो दोस्त परफॉर्मेंस पर डिमांड नहीं कर रहे हैं, उन्हें डुअल-चैनल DDR2 पर पैसा खर्च करने की जरूरत नहीं है।

कितनी दूर (लंबी) ट्रांसमीटर कवर?

संचरण रेंज कई कारकों पर निर्भर करता है। सच दूरी एंटीना ऊंचाई स्थापित करने, एंटीना लाभ पर आधारित है, भवन और अन्य अवरोधों, रिसीवर की संवेदनशीलता, रिसीवर के एंटीना की तरह वातावरण का उपयोग। एंटीना अधिक उच्च स्थापित करने और ग्रामीण इलाकों में उपयोग करते हुए, दूरी बहुत अधिक दूर होगा।

उदाहरण 5W एफएम ट्रांसमीटर शहर और गृहनगर में उपयोग करें:

मैं अपने गृहनगर में जीपी एंटीना के साथ एक संयुक्त राज्य अमेरिका ग्राहक उपयोग 5W एफएम ट्रांसमीटर है, और वह एक कार के साथ यह परीक्षण, यह 10km (6.21mile) को कवर किया।

मैं अपने गृहनगर में जीपी एंटीना के साथ 5W एफएम ट्रांसमीटर परीक्षण, यह 2km (1.24mile) के बारे में कवर किया।

मैं गुआंगज़ौ शहर में जीपी एंटीना के साथ 5W एफएम ट्रांसमीटर का परीक्षण, यह केवल 300meter (984ft) के बारे में कवर किया।

नीचे विभिन्न शक्ति एफएम ट्रांसमीटर की अनुमानित श्रृंखला है। (रेंज व्यास है)

0.1W ~ 5W एफएम ट्रांसमीटर: 100M ~ 1KM

5W ~ 15W एफएम Ttransmitter: 1KM ~ 3KM

15W ~ 80W एफएम ट्रांसमीटर: 3KM ~ 10KM

80W ~ 500W एफएम ट्रांसमीटर: 10KM ~ 30KM

500W ~ 1000W एफएम ट्रांसमीटर: 30KM ~ 50KM

1KW ~ 2KW एफएम ट्रांसमीटर: 50KM ~ 100KM

2KW ~ 5KW एफएम ट्रांसमीटर: 100KM ~ 150KM

5KW ~ 10KW एफएम ट्रांसमीटर: 150KM ~ 200KM

कैसे हमें ट्रांसमीटर के लिए संपर्क करने के लिए?

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पूरा नाम: यिंगफ़ेंग झांग
देश: चीन
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टी / टी। द्वारा भुगतान टी / टी (तार स्थानांतरण / तार अंतरण / बैंक स्थानांतरण)

पहली बैंक जानकारी (कंपनी खाता):

स्विफ्ट बीआईसी: BKCHHKHHXXX
बैंक का नाम: बैंक ऑफ चाइना (हाँग काँग) लिमिटेड, हाँग काँग
बैंक पता: चीन टॉवर का बैंक, 1 गार्डन रोड, सेंट्रल, हांगकांग
बैंक कोड: 012
खाता नाम: FMUSER इंटरनेशनल ग्रुप लिमिटेड
खाता क्रमांक। : 012-676-2-007855-0

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दूसरा बैंक सूचना (कंपनी खाता):
लाभार्थी: Fmuser इंटरनेशनल ग्रुप इंक
खाता संख्या: 44050158090900000337
लाभार्थी का बैंक: चीन निर्माण बैंक गुआंग्डोंग शाखा
स्विफ्ट कोड: पीसीबीसीसीएनबीजेजीडीएक्स
पता: NO.553 तियानहे रोड, गुआंगज़ौ, ग्वांगडोंग, तियानहे जिला, चीनhe
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* यह 1-2 में भेजा जाएगा कार्य दिवसों भुगतान साफ है।

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अगर पैकेज 2kg की तुलना में अधिक है, हम ईएमएस, डीएचएल, यूपीएस के माध्यम से जहाज जाएगा, FedEx तेजी से अभिव्यक्त डिलीवरी, यह 7 के बारे में 15days अपने हाथ में ले जाएगा ~।

अगर 100kg से पैकेज अधिक है, हम डीएचएल या हवाई माल के माध्यम से भेज देंगे। यह 3 के बारे में आपके हाथ में 7days लगेगा ~।

सभी संकुल चीन गुआंगज़ौ रूप होते हैं।

* पैकेज को "उपहार" के रूप में भेजा जाएगा और जितना संभव हो उतना कम घोषित किया जाएगा, खरीदार को "टैक्स" के लिए भुगतान करने की आवश्यकता नहीं है।

* जहाज के बाद, हम आपको एक ई-मेल भेज सकते हैं और आप ट्रैकिंग नंबर दे देंगे।

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नाम: लियू xiaoxia
पता: 305Fang HuiLanGe HuangPuDaDaoXi 273Hao TianHeQu गुआंगज़ौ चीन।
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