क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर से इस मायने में भिन्न होते हैं कि वे केवल इलेक्ट्रॉनों या छिद्रों में से किसी एक के साथ काम करते हैं। संरचना एवं सिद्धांत के अनुसार इसे निम्न में विभाजित किया जा सकता है:
. जंक्शन क्षेत्र प्रभाव ट्यूब
. एमओएस प्रकार फ़ील्ड प्रभाव ट्यूब
1. जंक्शन एफईटी (जंक्शन एफईटी)
1) सिद्धांत
जैसा कि चित्र में दिखाया गया है, एन-चैनल जंक्शन फ़ील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर में एक संरचना होती है जिसमें एन-टाइप सेमीकंडक्टर को पी-टाइप सेमीकंडक्टर के गेट द्वारा दोनों तरफ से क्लैंप किया जाता है। पीएन जंक्शन पर रिवर्स वोल्टेज लागू होने पर उत्पन्न कमी क्षेत्र का उपयोग वर्तमान नियंत्रण के लिए किया जाता है।
जब एन-प्रकार के क्रिस्टल क्षेत्र के दोनों सिरों पर डीसी वोल्टेज लगाया जाता है, तो इलेक्ट्रॉन स्रोत से नाली की ओर प्रवाहित होते हैं। चैनल की चौड़ाई जिसके माध्यम से इलेक्ट्रॉन गुजरते हैं, दोनों तरफ से फैले पी-प्रकार क्षेत्र और इस क्षेत्र पर लागू नकारात्मक वोल्टेज द्वारा निर्धारित की जाती है।
जब नकारात्मक गेट वोल्टेज मजबूत होता है, तो पीएन जंक्शन का कमी क्षेत्र चैनल में फैल जाता है, और चैनल की चौड़ाई कम हो जाती है। इसलिए, स्रोत-नाली धारा को गेट इलेक्ट्रोड के वोल्टेज द्वारा नियंत्रित किया जा सकता है।
2) का उपयोग करें
यहां तक कि अगर गेट वोल्टेज शून्य है, तो भी वर्तमान प्रवाह होता है, इसलिए इसका उपयोग निरंतर वर्तमान स्रोतों के लिए या कम शोर के कारण ऑडियो एम्पलीफायरों के लिए किया जाता है।
2. एमओएस प्रकार क्षेत्र प्रभाव ट्यूब
1) सिद्धांत
यहां तक कि धातु (एम) और सेमीकंडक्टर (एस) की संरचना (एमओएस संरचना) में ऑक्साइड फिल्म (ओ) को सैंडविच करने पर भी, यदि (एम) और सेमीकंडक्टर (एस) के बीच वोल्टेज लगाया जाता है, तो एक कमी परत हो सकती है उत्पन्न. इसके अलावा, जब उच्च वोल्टेज लगाया जाता है, तो उलटा परत बनाने के लिए इलेक्ट्रॉनों या छिद्रों को ऑक्सीजन ब्लूम फिल्म के नीचे जमा किया जा सकता है। MOSFET का उपयोग एक स्विच के रूप में किया जाता है।
ऑपरेशन सिद्धांत आरेख में, यदि गेट वोल्टेज शून्य है, तो पीएन जंक्शन करंट को डिस्कनेक्ट कर देगा, ताकि स्रोत और नाली के बीच करंट प्रवाहित न हो। यदि गेट पर एक सकारात्मक वोल्टेज लागू किया जाता है, तो पी-प्रकार अर्धचालक के छेद ऑक्साइड फिल्म से बाहर निकल जाएंगे - गेट के नीचे पी-प्रकार अर्धचालक की सतह एक कमी परत बनाने के लिए। इसके अलावा, यदि गेट वोल्टेज फिर से बढ़ाया जाता है, तो इलेक्ट्रॉन एक पतली एन-प्रकार उलटा परत बनाने के लिए सतह पर आकर्षित होंगे, ताकि स्रोत पिन (एन-प्रकार) और नाली (एन-प्रकार) जुड़े हों, जिससे करंट की अनुमति मिल सके प्रवाह ।
2) का उपयोग करें
इसकी सरल संरचना, तेज गति, सरल गेट ड्राइव, मजबूत विनाशकारी शक्ति और अन्य विशेषताओं और माइक्रोफैब्रिकेशन तकनीक के उपयोग के कारण, यह सीधे प्रदर्शन में सुधार कर सकता है, इसलिए एलएसआई बुनियादी उपकरणों से लेकर पावर उपकरणों तक उच्च आवृत्ति वाले उपकरणों में इसका व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है। (पावर नियंत्रण उपकरण) और अन्य क्षेत्र।
3. सामान्य क्षेत्र उपयोगिता ट्यूब
1) एमओएस क्षेत्र प्रभाव ट्यूब
यानी मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड इफेक्ट ट्यूब, अंग्रेजी संक्षिप्त नाम MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर) है
फ़ील्ड-इफ़ेक्ट-ट्रांजिस्टर), जो एक इंसुलेटेड गेट प्रकार है। इसकी मुख्य विशेषता यह है कि मेटल गेट और चैनल के बीच एक सिलिकॉन डाइऑक्साइड इन्सुलेटिंग परत होती है, इसलिए इसका इनपुट प्रतिरोध बहुत अधिक होता है (अधिकतम 1015Ω तक)। इसे एन-चैनल ट्यूब और पी-चैनल ट्यूब में भी विभाजित किया गया है, प्रतीक चित्र 1 में दिखाया गया है। आमतौर पर सब्सट्रेट (सब्सट्रेट) और स्रोत एस एक साथ जुड़े हुए हैं। विभिन्न चालन मोड के अनुसार, MOSFET को वृद्धि प्रकार में विभाजित किया गया है,
ह्रास प्रकार. तथाकथित उन्नत प्रकार का तात्पर्य है: जब वीजीएस=0, ट्यूब बंद अवस्था में होती है, और सही वीजीएस जोड़ने के बाद, अधिकांश वाहक गेट की ओर आकर्षित होते हैं, जिससे इस क्षेत्र में वाहक "बढ़ते" हैं और बनते हैं एक प्रवाहकीय चैनल.
कमी प्रकार का मतलब है कि जब वीजीएस = 0, एक चैनल बनता है, और जब सही वीजीएस जोड़ा जाता है, तो अधिकांश वाहक चैनल से बाहर निकल सकते हैं, इस प्रकार वाहक "ख़त्म" हो जाते हैं और ट्यूब बंद हो जाती है।
एन चैनल को एक उदाहरण के रूप में लेते हुए, इसे पी-प्रकार के सिलिकॉन सब्सट्रेट पर दो स्रोत प्रसार क्षेत्रों एन + और नाली प्रसार क्षेत्रों एन + के साथ उच्च डोपिंग एकाग्रता के साथ बनाया जाता है, और फिर स्रोत एस और ड्रेन डी को क्रमशः बाहर ले जाया जाता है। स्रोत इलेक्ट्रोड और सब्सट्रेट आंतरिक रूप से जुड़े हुए हैं, और दोनों हमेशा एक ही विद्युत रखते हैं
अंश। चित्र 1(ए) के प्रतीक में सामने की दिशा बाहर से बिजली की ओर है, जिसका अर्थ है पी-प्रकार की सामग्री (सब्सट्रेट) से एन-प्रकार के चैनल तक। जब नाली बिजली आपूर्ति के सकारात्मक ध्रुव से जुड़ी होती है, तो स्रोत बिजली आपूर्ति के नकारात्मक ध्रुव से जुड़ा होता है और वीजीएस = 0, चैनल करंट (यानी, नाली धारा)
स्ट्रीम) आईडी=0. वीजीएस की क्रमिक वृद्धि के साथ, गेट के सकारात्मक वोल्टेज से आकर्षित होकर, नकारात्मक रूप से चार्ज किए गए अल्पसंख्यक वाहक दो प्रसार क्षेत्रों के बीच प्रेरित होते हैं, जो नाली से स्रोत तक एक एन-प्रकार चैनल बनाते हैं। जब वीजीएस, टर्न-ऑन वोल्टेज वीटीएन (आम तौर पर +2V) की ट्यूब से अधिक होता है, तो एन-चैनल ट्यूब संचालित होना शुरू हो जाती है, जिससे एक ड्रेन करंट आईडी बनती है।
एमओएस क्षेत्र प्रभाव ट्यूब अधिक "चीखने वाली" है। ऐसा इसलिए है क्योंकि इसका इनपुट प्रतिरोध बहुत अधिक है, और गेट और स्रोत के बीच समाई बहुत छोटी है, और यह बाहरी विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र या इलेक्ट्रोस्टैटिक प्रेरण द्वारा चार्ज होने के लिए अतिसंवेदनशील है, और थोड़ी मात्रा में चार्ज बन सकता है इलेक्ट्रोड के बीच समाई.
बहुत उच्च वोल्टेज (यू=क्यू/सी) तक, ट्यूब क्षतिग्रस्त हो जाएगी। इसलिए, कारखाने में पिनों को एक साथ घुमाया जाता है, या धातु की पन्नी में स्थापित किया जाता है, ताकि स्थैतिक चार्ज के संचय को रोकने के लिए जी पोल और एस पोल एक ही क्षमता पर हों। जब ट्यूब उपयोग में न हो तो सभी तारों को भी छोटा कर देना चाहिए। मापते समय अतिरिक्त सावधानी बरतें, और तदनुरूप स्थैतिक विरोधी उपाय करें।
2) एमओएस क्षेत्र प्रभाव ट्यूब का पता लगाने की विधि
(1). मापने से पहले की तैयारी, MOSFET के पिन को छूने से पहले मानव शरीर को जमीन पर शॉर्ट-सर्किट कर दें। पृथ्वी से जुड़ने के लिए तार को कलाई से जोड़ना सबसे अच्छा है, ताकि मानव शरीर और पृथ्वी एक समविभव बनाए रखें। पिनों को फिर से अलग करें, और फिर तारों को हटा दें।
(2). निर्धारण इलेक्ट्रोड
मल्टीमीटर को R×100 गियर पर सेट करें, और पहले ग्रिड निर्धारित करें। यदि एक पिन और अन्य पिन दोनों का प्रतिरोध अनंत है, तो यह साबित होता है कि यह पिन ग्रिड जी है। परीक्षण को फिर से मापने के लिए एक्सचेंज करें, एसडी के बीच प्रतिरोध मान कई सौ ओम से कई हजार तक होना चाहिए
ओह, जहां प्रतिरोध मान छोटा है, ब्लैक टेस्ट लीड डी पोल से जुड़ा है, और लाल टेस्ट लीड एस पोल से जुड़ा है। जापान में उत्पादित 3SK श्रृंखला के उत्पादों के लिए, S पोल शेल से जुड़ा होता है, इसलिए S पोल निर्धारित करना आसान होता है।
(3). प्रवर्धन क्षमता (ट्रांसकंडक्टेंस) की जाँच करें
जी पोल को हवा में लटकाएं, काले टेस्ट लीड को डी पोल से और लाल टेस्ट लीड को एस पोल से कनेक्ट करें, और फिर अपनी उंगली से जी पोल को स्पर्श करें, सुई का विक्षेपण बड़ा होना चाहिए। डबल-गेट एमओएस फ़ील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर में दो गेट G1 और G2 हैं। इसे अलग करने के लिए आप इसे अपने हाथों से छू सकते हैं
G1 और G2 ध्रुव, G2 ध्रुव वह है जिसमें घड़ी की सूई का बायीं ओर बड़ा विक्षेप होता है। वर्तमान में, कुछ MOSFET ट्यूबों ने जीएस ध्रुवों के बीच सुरक्षात्मक डायोड जोड़े हैं, और प्रत्येक पिन को शॉर्ट-सर्किट करने की कोई आवश्यकता नहीं है।
3) एमओएस क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर के उपयोग के लिए सावधानियां।
एमओएस फ़ील्ड प्रभाव ट्रांजिस्टर को तब वर्गीकृत किया जाना चाहिए जब उनका उपयोग किया जाता है और उन्हें इच्छानुसार बदला नहीं जा सकता है। एमओएस क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर अपने उच्च इनपुट प्रतिबाधा (एमओएस एकीकृत सर्किट सहित) के कारण स्थैतिक बिजली से आसानी से टूट जाते हैं। इनका उपयोग करते समय निम्नलिखित नियमों पर ध्यान दें:
एमओएस उपकरण आमतौर पर कारखाने से निकलते समय काले प्रवाहकीय फोम प्लास्टिक बैग में पैक किए जाते हैं। इन्हें अकेले प्लास्टिक बैग में पैक न करें। आप पिनों को आपस में जोड़ने के लिए पतले तांबे के तारों का भी उपयोग कर सकते हैं, या उन्हें टिन की पन्नी में लपेट सकते हैं
बाहर निकाला गया एमओएस उपकरण प्लास्टिक बोर्ड पर स्लाइड नहीं कर सकता है, और उपयोग किए जाने वाले उपकरण को पकड़ने के लिए एक धातु की प्लेट का उपयोग किया जाता है।
सोल्डरिंग आयरन अच्छी तरह से ग्राउंडेड होना चाहिए।
वेल्डिंग से पहले, सर्किट बोर्ड की पावर लाइन को ग्राउंड लाइन से शॉर्ट-सर्किट किया जाना चाहिए, और फिर वेल्डिंग पूरा होने के बाद एमओएस डिवाइस को अलग किया जाना चाहिए।
एमओएस डिवाइस के प्रत्येक पिन का वेल्डिंग क्रम नाली, स्रोत और गेट है। मशीन को अलग करते समय क्रम उलट जाता है।
सर्किट बोर्ड स्थापित करने से पहले, मशीन के टर्मिनलों को छूने के लिए ग्राउंडेड वायर क्लैंप का उपयोग करें, और फिर सर्किट बोर्ड को कनेक्ट करें।
अनुमति मिलने पर एमओएस क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर का गेट अधिमानतः एक सुरक्षा डायोड से जुड़ा होता है। सर्किट को ओवरहाल करते समय, यह जांचने पर ध्यान दें कि मूल सुरक्षा डायोड क्षतिग्रस्त है या नहीं।
4) वीएमओएस क्षेत्र प्रभाव ट्यूब
VMOS फ़ील्ड इफ़ेक्ट ट्यूब (VMOSFET) को VMOS ट्यूब या पावर फ़ील्ड इफ़ेक्ट ट्यूब के रूप में संक्षिप्त किया गया है, और इसका पूरा नाम V-ग्रूव MOS फ़ील्ड इफ़ेक्ट ट्यूब है। यह MOSFET के बाद एक नव विकसित उच्च दक्षता वाला पावर स्विच है
टुकड़े। इसमें न केवल एमओएस फील्ड इफ़ेक्ट ट्यूब (≥108W) की उच्च इनपुट प्रतिबाधा, छोटी ड्राइव करंट (लगभग 0.1μA) है, बल्कि उच्च वोल्टेज (1200V तक) और बड़े कार्यशील करंट का भी सामना करना पड़ता है।
(1.5A～100A), उच्च आउटपुट पावर (1～250W), अच्छी ट्रांसकंडक्टेंस रैखिकता, तेज स्विचिंग गति और अन्य उत्कृष्ट विशेषताएं। यह ठीक इसलिए है क्योंकि यह इलेक्ट्रॉन ट्यूब और पावर ट्रांजिस्टर के फायदों को एक में जोड़ता है, इसलिए वोल्टेज
एम्पलीफायरों (कई हजार गुना तक वोल्टेज प्रवर्धन), पावर एम्पलीफायरों, स्विचिंग बिजली की आपूर्ति और इनवर्टर का व्यापक रूप से उपयोग किया जा रहा है।
जैसा कि हम सभी जानते हैं, पारंपरिक एमओएस क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर का गेट, स्रोत और ड्रेन एक चिप पर होते हैं, जहां गेट, स्रोत और ड्रेन लगभग एक ही क्षैतिज विमान पर होते हैं, और इसका कार्यशील प्रवाह मूल रूप से क्षैतिज दिशा में बहता है। वीएमओएस ट्यूब अलग है, नीचे बाईं ओर दी गई तस्वीर से आप ऐसा कर सकते हैं
दो प्रमुख संरचनात्मक विशेषताएं देखी जा सकती हैं: पहला, धातु गेट एक वी-नाली संरचना को अपनाता है; दूसरा, इसमें ऊर्ध्वाधर चालकता है। चूंकि नाली चिप के पीछे से खींची जाती है, आईडी चिप के साथ क्षैतिज रूप से प्रवाहित नहीं होती है, लेकिन एन+ के साथ भारी डोप किया जाता है
क्षेत्र (स्रोत एस) से शुरू होकर, यह पी चैनल के माध्यम से हल्के से डोप किए गए एन-बहाव क्षेत्र में बहती है, और अंत में लंबवत रूप से नीचे की ओर नाली डी तक पहुंचती है। चित्र में धारा की दिशा को तीर द्वारा दर्शाया गया है, क्योंकि प्रवाह का क्रॉस-अनुभागीय क्षेत्र बढ़ जाता है, इसलिए बड़ी धारा प्रवाहित हो सकती है। क्योंकि गेट में
पोल और चिप के बीच एक सिलिकॉन डाइऑक्साइड इन्सुलेटिंग परत है, इसलिए यह अभी भी एक इंसुलेटेड गेट एमओएस फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर है।
वीएमओएस फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर के मुख्य घरेलू निर्माताओं में 877 फैक्ट्री, टियांजिन सेमीकंडक्टर डिवाइस फोर्थ फैक्ट्री, हांग्जो इलेक्ट्रॉन ट्यूब फैक्ट्री आदि शामिल हैं। विशिष्ट उत्पादों में वीएन401, वीएन672, वीएमपीटी2 आदि शामिल हैं।
5) वीएमओएस क्षेत्र प्रभाव ट्यूब का पता लगाने की विधि
(1). ग्रिड G निर्धारित करें। तीन पिनों के बीच प्रतिरोध को मापने के लिए मल्टीमीटर को R×1k स्थिति पर सेट करें। यदि यह पाया जाता है कि एक पिन और उसके दो पिन दोनों का प्रतिरोध अनंत है, और परीक्षण लीड के आदान-प्रदान के बाद भी यह अनंत है, तो यह साबित हो जाता है कि यह पिन जी पोल है, क्योंकि यह अन्य दो पिनों से अछूता है।
(2). स्रोत एस और नाली डी का निर्धारण जैसा कि चित्र 1 से देखा जा सकता है, स्रोत और नाली के बीच एक पीएन जंक्शन है। इसलिए, पीएन जंक्शन के आगे और पीछे के प्रतिरोध में अंतर के अनुसार, एस पोल और डी पोल की पहचान की जा सकती है। प्रतिरोध को दो बार मापने के लिए एक्सचेंज मीटर पेन विधि का उपयोग करें, और कम प्रतिरोध मान (आमतौर पर कई हजार ओम से दस हजार ओम) वाला आगे का प्रतिरोध है। इस समय, ब्लैक टेस्ट लीड एस पोल है, और लाल टेस्ट लीड डी पोल से जुड़ा है।
(3). जीएस पोल को शॉर्ट-सर्किट करने के लिए ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट प्रतिरोध आरडीएस (ऑन) को मापें। मल्टीमीटर का R×1 गियर चुनें। काले टेस्ट लीड को S पोल से और लाल टेस्ट लीड को D पोल से कनेक्ट करें। प्रतिरोध कुछ ओम से लेकर दस ओम से अधिक होना चाहिए।
विभिन्न परीक्षण स्थितियों के कारण, मापा गया आरडीएस (ऑन) मान मैनुअल में दिए गए विशिष्ट मान से अधिक है। उदाहरण के लिए, एक IRFPC50 VMOS ट्यूब को 500-प्रकार के मल्टीमीटर R×1 फ़ाइल, RDS से मापा जाता है
(पर)=3.2W, 0.58W (सामान्य मान) से अधिक।
(4). ट्रांसकंडक्टेंस की जाँच करें। मल्टीमीटर को R×1k (या R×100) स्थिति में रखें। लाल टेस्ट लीड को S पोल से और काले टेस्ट लीड को D पोल से कनेक्ट करें। ग्रिड को छूने के लिए एक स्क्रूड्राइवर पकड़ें। सुई को महत्वपूर्ण रूप से विक्षेपित होना चाहिए। विक्षेपण जितना अधिक होगा, ट्यूब का विक्षेपण उतना ही अधिक होगा। ट्रांसकंडक्टेंस जितना अधिक होगा.
6) जिन मामलों पर ध्यान देने की आवश्यकता है:
वीएमओएस ट्यूबों को एन-चैनल ट्यूब और पी-चैनल ट्यूब में भी विभाजित किया गया है, लेकिन अधिकांश उत्पाद एन-चैनल ट्यूब हैं। पी-चैनल ट्यूबों के लिए, माप के दौरान परीक्षण लीड की स्थिति का आदान-प्रदान किया जाना चाहिए।
जीएस के बीच सुरक्षा डायोड के साथ कुछ वीएमओएस ट्यूब हैं, इस पहचान पद्धति में आइटम 1 और 2 अब लागू नहीं हैं।
वर्तमान में, बाजार में एक वीएमओएस ट्यूब पावर मॉड्यूल भी मौजूद है, जिसका उपयोग विशेष रूप से एसी मोटर स्पीड कंट्रोलर और इनवर्टर के लिए किया जाता है। उदाहरण के लिए, अमेरिकी आईआर कंपनी द्वारा निर्मित आईआरएफटी001 मॉड्यूल के अंदर तीन एन-चैनल और पी-चैनल ट्यूब हैं, जो तीन-चरण पुल संरचना बनाते हैं।
बाजार में वीएनएफ श्रृंखला (एन-चैनल) उत्पाद संयुक्त राज्य अमेरिका में सुपरटेक्स द्वारा उत्पादित अल्ट्रा-उच्च आवृत्ति पावर फील्ड प्रभाव ट्रांजिस्टर हैं। इसकी उच्चतम ऑपरेटिंग आवृत्ति fp=120MHz, IDSM=1A, PDM=30W, सामान्य स्रोत छोटा सिग्नल कम-आवृत्ति ट्रांसकंडक्टेंस gm =2000μS है। यह हाई-स्पीड स्विचिंग सर्किट और प्रसारण और संचार उपकरण के लिए उपयुक्त है।
वीएमओएस ट्यूब का उपयोग करते समय, एक उपयुक्त हीट सिंक अवश्य जोड़ा जाना चाहिए। उदाहरण के तौर पर VNF306 को लेते हुए, 30×140×140 (मिमी) रेडिएटर स्थापित करने के बाद अधिकतम शक्ति 4W तक पहुंच सकती है।
7) क्षेत्र प्रभाव ट्यूब और ट्रांजिस्टर की तुलना
क्षेत्र प्रभाव ट्यूब वोल्टेज नियंत्रण तत्व है, और ट्रांजिस्टर वर्तमान नियंत्रण तत्व है। जब केवल सिग्नल स्रोत से कम करंट खींचने की अनुमति दी जाती है, तो FET का उपयोग किया जाना चाहिए; और जब सिग्नल वोल्टेज कम हो और सिग्नल स्रोत से अधिक करंट खींचने की अनुमति हो, तो एक ट्रांजिस्टर का उपयोग किया जाना चाहिए।
क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर बिजली का संचालन करने के लिए बहुसंख्यक वाहक का उपयोग करता है, इसलिए इसे एकध्रुवीय उपकरण कहा जाता है, जबकि ट्रांजिस्टर में बिजली का संचालन करने के लिए बहुसंख्यक वाहक और अल्पसंख्यक वाहक दोनों होते हैं। इसे द्विध्रुवी उपकरण कहा जाता है।
कुछ क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर के स्रोत और नाली का उपयोग परस्पर विनिमय किया जा सकता है, और गेट वोल्टेज सकारात्मक या नकारात्मक भी हो सकता है, जो ट्रांजिस्टर की तुलना में अधिक लचीला है।
फ़ील्ड इफ़ेक्ट ट्यूब बहुत कम करंट और बहुत कम वोल्टेज के तहत काम कर सकती है, और इसकी निर्माण प्रक्रिया एक सिलिकॉन चिप पर कई फ़ील्ड इफ़ेक्ट ट्यूब को आसानी से एकीकृत कर सकती है, इसलिए फ़ील्ड इफ़ेक्ट ट्यूब का उपयोग बड़े पैमाने पर एकीकृत सर्किट में किया गया है। अनुप्रयोगों की विस्तृत श्रृंखला.
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कितनी दूर (लंबी) ट्रांसमीटर कवर?
संचरण रेंज कई कारकों पर निर्भर करता है। सच दूरी एंटीना ऊंचाई स्थापित करने, एंटीना लाभ पर आधारित है, भवन और अन्य अवरोधों, रिसीवर की संवेदनशीलता, रिसीवर के एंटीना की तरह वातावरण का उपयोग। एंटीना अधिक उच्च स्थापित करने और ग्रामीण इलाकों में उपयोग करते हुए, दूरी बहुत अधिक दूर होगा।
उदाहरण 5W एफएम ट्रांसमीटर शहर और गृहनगर में उपयोग करें:
मैं अपने गृहनगर में जीपी एंटीना के साथ एक संयुक्त राज्य अमेरिका ग्राहक उपयोग 5W एफएम ट्रांसमीटर है, और वह एक कार के साथ यह परीक्षण, यह 10km (6.21mile) को कवर किया।
मैं अपने गृहनगर में जीपी एंटीना के साथ 5W एफएम ट्रांसमीटर परीक्षण, यह 2km (1.24mile) के बारे में कवर किया।
मैं गुआंगज़ौ शहर में जीपी एंटीना के साथ 5W एफएम ट्रांसमीटर का परीक्षण, यह केवल 300meter (984ft) के बारे में कवर किया।
नीचे विभिन्न शक्ति एफएम ट्रांसमीटर की अनुमानित श्रृंखला है। (रेंज व्यास है)
0.1W ~ 5W एफएम ट्रांसमीटर: 100M ~ 1KM
5W ~ 15W एफएम Ttransmitter: 1KM ~ 3KM
15W ~ 80W एफएम ट्रांसमीटर: 3KM ~ 10KM
80W ~ 500W एफएम ट्रांसमीटर: 10KM ~ 30KM
500W ~ 1000W एफएम ट्रांसमीटर: 30KM ~ 50KM
1KW ~ 2KW एफएम ट्रांसमीटर: 50KM ~ 100KM
2KW ~ 5KW एफएम ट्रांसमीटर: 100KM ~ 150KM
5KW ~ 10KW एफएम ट्रांसमीटर: 150KM ~ 200KM
कैसे हमें ट्रांसमीटर के लिए संपर्क करने के लिए?
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बैंक कोड: 012
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लाभार्थी: Fmuser इंटरनेशनल ग्रुप इंक
खाता संख्या: 44050158090900000337
लाभार्थी का बैंक: चीन निर्माण बैंक गुआंग्डोंग शाखा
स्विफ्ट कोड: पीसीबीसीसीएनबीजेजीडीएक्स
पता: NO.553 तियानहे रोड, गुआंगज़ौ, ग्वांगडोंग, तियानहे जिला, चीनhe
**नोट: जब आप हमारे बैंक खाते में धन हस्तांतरित करते हैं, तो कृपया टिप्पणी क्षेत्र में कुछ भी न लिखें, अन्यथा हम अंतर्राष्ट्रीय व्यापार व्यापार पर सरकारी नीति के कारण भुगतान प्राप्त नहीं कर पाएंगे।
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* यह 1-2 में भेजा जाएगा कार्य दिवसों भुगतान साफ है।
* हम अपने पेपैल पते पर भेज देंगे। आप पता बदलना चाहते हैं, कृपया मेरे ईमेल को अपना सही पता और फोन नंबर भेजना [ईमेल संरक्षित]
* संकुल 2kg नीचे है, तो हम पोस्ट एअर मेल के माध्यम से भेज दिया जाएगा, यह आपके हाथ में 15-25days बारे में ले जाएगा।
अगर पैकेज 2kg की तुलना में अधिक है, हम ईएमएस, डीएचएल, यूपीएस के माध्यम से जहाज जाएगा, FedEx तेजी से अभिव्यक्त डिलीवरी, यह 7 के बारे में 15days अपने हाथ में ले जाएगा ~।
अगर 100kg से पैकेज अधिक है, हम डीएचएल या हवाई माल के माध्यम से भेज देंगे। यह 3 के बारे में आपके हाथ में 7days लगेगा ~।
सभी संकुल चीन गुआंगज़ौ रूप होते हैं।
* पैकेज को "उपहार" के रूप में भेजा जाएगा और जितना संभव हो उतना कम घोषित किया जाएगा, खरीदार को "टैक्स" के लिए भुगतान करने की आवश्यकता नहीं है।
* जहाज के बाद, हम आपको एक ई-मेल भेज सकते हैं और आप ट्रैकिंग नंबर दे देंगे।
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वारंटी के लिए।
हमसे संपर्क करें --- >> हमारे लिए आइटम लौटें --- >> प्राप्त करें और एक और प्रतिस्थापन भेजें।
नाम: लियू xiaoxia
पता: 305Fang HuiLanGe HuangPuDaDaoXi 273Hao TianHeQu गुआंगज़ौ चीन।
ज़िप: 510620
फोन: + 8618078869184
कृपया इस पते पर लौट सकते हैं और नोट पर अपने पेपैल पता, नाम, समस्या लिखने के लिए: |
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